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光子信息技術作為21世紀的戰略性先導技術，是人工智能、5G、物聯網等眾多新興產業領域的基礎設施，也是我國在第四次科技革命中實現“換道超車”的重大機遇。記者從近日舉行的中關村光電子集成產業發展研討會上獲悉，我國光電子領域發展迅猛，國內光電子芯片企業在部分細分領域已實現國際領跑。
濟南晶正電子科技有限公司總經理胡文透露，作為全球薄膜鈮酸鋰行業的領跑者，公司在光學晶體和半導體領域有著豐富的經驗，已在國際上率先開發出并產業化300至900納米厚度鈮酸鋰單晶薄膜材料產品，市場占有率國際領先。他稱，多功能、可集成化、低功耗的光子芯片關鍵基礎材料是光子集成的基礎，作為光子芯片領域的“光學硅”，薄膜鈮酸鋰具有頻帶寬、穩定性好、傳輸損耗小等突出優點，正是攻克低損耗、高品質、高集成度光學芯片的關鍵基礎材料，將在通信、數據中心、傳感、量子信息等領域發揮重要作用。
中科鑫通微電子技術（北京）有限公司總裁隋軍介紹，作為國內在“多材料，跨尺寸”光子芯片工藝技術具有領先優勢的創新型科技企業，公司擁有獨立自主研發的晶圓級薄膜鈮酸鋰和氮化硅代工工藝和標準器件庫，已成功自主研發4英寸薄膜鈮酸鋰光子晶圓和8英寸氮化硅光子晶圓。公司目前擁有自主研發的多材料光子晶圓制造工藝和標準器件庫，能夠為我國光子領域的各類企業機構提供薄膜鈮酸鋰、氮化硅等多材料光子晶圓的代工服務。
隋軍稱，公司將以光子晶圓代工服務為核心積極聯合濟南晶正、北方華創、中興光電等材料、裝備、應用領域的核心龍頭企業，共同為我國光電子信息產業的發展貢獻力量。
北京北方華創微電子裝備有限公司第一刻蝕事業部副總經理謝秋實說，北方華創作為國內半導體設備領域的龍頭企業，正攻堅克難、逐漸打破國外壟斷并形成國產工藝設備的替代能力，為實現我國光電子產業設備的自主可控打下堅實基礎。
國家信息光電子創新中心總經理肖希提出，有三方面痛點制約我國光電子信息產業發展：由于光電子芯片行業核心器件、實現材料較為多元化，導致光芯片缺乏如同微電子芯片領域“摩爾定律”一般的普適性理論定律；高端光電子特種設備等依賴進口、自主程度低；應用分散、缺乏“殺手級”應用。
中國電子信息產業發展研究院副院長喬標認為，我國光電子產業發展迅猛，技術創新、應用滲透速度和非常快。不過面對當前國際形勢及信息化需求暴增的多重挑戰，國內光電子產業仍任務艱巨，需要在技術創新、產業應用和生態價值鏈等多個層面實現突破。
據悉，中關村光電子集成產業發展研討會由中關村科技企業家協會主辦，北京中關村信息谷資產管理有限責任公司、中科鑫通微電子技術（北京）有限公司、北京市順義區南彩鎮人民政府共同承辦。
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