宏微科技2023年半年度董事會經營評述內容如下：
一、報告期內公司所屬行業及主營業務情況說明
(相關資料圖)
（一）主要業務、主要產品或服務情況公司自設立以來一直從事IGBT、FRED為主的功率半導體芯片、單管和模塊的設計、研發、生產和銷售，并為客戶提供功率半導體器件的解決方案，IGBT、FRED單管和模塊的核心是IGBT和FRED芯片，公司擁有諸多具有一定先進性的相關知識產權。公司主營業務中的單管完全采用自研芯片，模塊產品以自研芯片為主外購芯片為輔。IGBT、FRED作為功率半導體器件的主要代表，是電氣與自動化、電力傳輸與信息通信系統中的核心器件。在當前復雜而嚴峻的國際形勢下，積極推動我國功率半導體材料、芯片、封測的國產化進程具有極其重大的意義，而研發和生產自主可控的IGBT、FRED芯片及模塊已成為國家戰略新興產業發展的重點。目前，公司產品已涵蓋IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產品80余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產品270余種，公司產品應用于工業控制（變頻器、伺服電機、UPS電源等），新能源發電（光伏逆變器等）、電動汽車（電控系統等）等多元化應用領域，公司產品性能與工藝技術水平處于行業先進水平。（二）主要經營模式1.研發模式公司建立了以客戶需求為導向的研發體系，制定了《項目立項管理辦法》《產品質量先期策劃控制程序》《設計和開發控制程序》等研發流程控制文件，研發流程主要包括立項、產品設計與開發、過程設計與開發、產品試生產、產品量產五個階段，各個研發項目均由產品質量先期策劃（APQP）小組承接項目，每個階段均由專門的評審委員會進行評審。2.采購模式公司的原材料主要包括芯片、DBC基板、銅底板、焊料、鋁銅線、外殼等，其中芯片的采購主要通過自主研發設計并委托芯片代工企業制造加工，以及向英飛凌等生產廠商直接采購兩種方式；其他材料主要通過選取至少兩家合格供應商比價采購的方式。公司采用訂單采購的采購模式，對于生產中常用的直接物料，由計劃部門根據銷售訂單或銷售預測通過ERP系統提交采購請求，由采購部根據供應商的交貨周期進行下單；對于偶然所需的臨時物料，由需求部門填寫《請購單》提出請購需求，通過公司OA系統逐層提交至公司管理層審批，通過后由采購部負責統一采購。3.生產模式公司具備完善的生產運營體系，主要采取“以銷定產”的生產模式，由運營辦公室綜合考慮市場需求、原材料供應和產能情況制定生產計劃，公司產品的生產具體可分為兩種模式：自產模式和委托加工模式。（1）自產模式公司模塊采用自產模式，通過自有生產線對功率半導體芯片進行模塊化封裝與測試，最終形成功率模塊。公司的模塊產品可分為標準品和定制品，公司的標準品主要依據產品電壓、電流等規格，設計生產出通用的不同系列的產品，并向客戶銷售；定制品主要系公司與客戶在技術層面深度合作，設計生產的產品以滿足客戶的特殊需求。公司定制化產品分成量產前及正式量產后兩個階段。量產前，公司按客戶要求進行生產工藝設計及樣品試制和可靠性測試，公司按照研發過程中投入的原材料、人工成本、測試費等為基礎向客戶收取技術服務費；量產后，公司按照客戶的設計方案、技術指標要求，組織生產并批量提供產品。（2）委托加工模式公司采取Fabless模式，對于芯片及單管產品生產采用委托加工模式。公司專注于芯片的研發和設計，將設計好的芯片委托給芯片代工企業制造，公司利用芯片代工企業強大的芯片生產能力來滿足公司單管和模塊中的芯片需求，實現產品鏈的一體化構建。由于國內從事單管產品封裝廠家較多，公司將單管產品的封裝與測試環節委托給具備單管先進封裝工藝的公司進行代工。4.營銷模式公司銷售采取了直銷為主、經銷為輔的方式。在直銷模式下，公司通過網絡宣傳、派出經驗豐富的營銷和技術團隊進行業務走訪、參加國內外各種行業展會和學術交流會議等方式向下游客戶介紹公司產品、了解客戶需求、推薦使用方案并展開銷售活動；在經銷模式下，公司通常與營銷能力較強且具備一定專業知識、行業經驗和市場資源的經銷商合作，利用經銷商的渠道和經驗拓展客戶資源，擴大市場占有率。（三）所處行業情況1.行業的發展階段、基本特點、主要技術門檻（1）發展階段功率半導體分立器件為半導體行業的主要組成部分，更是發電、輸電、變配電、用電、儲電等領域的基礎核心部件。功率半導體的下游應用領域十分廣泛，且需求持續穩定增長。除了消費電子、通信、計算機、工業控制、汽車電子等傳統領域，近年來，功率半導體器件在電動汽車/充電樁、新能源發電、智能電網、軌道交通、變頻家電等諸多新興應用領域中得到廣泛的應用，隨著“碳中和”戰略的推進，功率半導體器件將迎來一個高速發展時期。（2）基本特點半導體行業屬于技術、資本和人才密集型行業，無論是技術研發還是產線建設都需要大量的資金投入。公司目前正面臨電動汽車、新能源發電等下游新興產業帶來的市場機遇。公司在未來發展和爭取市場機遇過程中需投入大量的資金來進行產品及工藝的研發、產能的提升和研發人才的引進。（3）主要技術門檻自上世紀80年代IGBT產品開啟工業化應用以來，一直為國外知名公司所壟斷，國外知名公司的產品系列化很全，應用面很廣，其中英飛凌已實現各種電壓范圍IGBT覆蓋，三菱、富士電機、安森美也涵蓋了多個電壓區間。近年來，IGBT技術經歷了豐富的演變，涌現出不同的IGBT技術方案，這些方案主要由英飛凌、三菱電機和富士電機等海外廠商主導推動。海外廠商IGBT的結構設計仍在不斷突破和創新，先后推出了溝槽柵場阻斷結構、微細槽柵結構、側柵結構、鰭狀基區結構等新技術，推動了IGBT應用和市場發展。同時IGBT的制造工藝也在持續創新，深溝槽、精準摻雜、深度擴散、超薄片以及質子注入等多種工藝的引入形成了較高的技術壁壘，制造技術也成為實現IGBT自主創新的關鍵。近幾年來，國內IGBT無論是在芯片設計方面還是在芯片制造和封裝方面雖有突破但與國外相比仍有不少差距。以SiC為代表的第三代半導體2021年首次導入商業化，2018年在產業鏈下游應用爆發的推動下，正式進入高速發展期，SiC功率器件（SBD、MOSFET）目前廣泛用于新能源汽車、光伏、軌道交通等領域，以意法半導體，英飛凌科技為首的國際領先企業已實現SiC器件的量產并占據全球絕大部分市場份額。平面柵、溝槽柵、深溝槽、超薄片等新技術的引入使得SiC功率器件在成本和性能上更具優勢，但上述技術的柵氧質量、雙極退化、閾值電壓漂移、動態可靠性等諸多問題在設計和制造端都形成了很高的技術壁壘。近年來，國內SiC行業在襯底制備、芯片設計、晶圓制造和封測方面都有突破，但與國外相比，技術水平和市場份額都有較大的差距。2.公司所處的行業地位分析及其變化情況公司致力于功率半導體芯片、單管及模塊研發與生產。公司曾榮獲“新型電力半導體器件領軍企業”、“蘇南國家自主創新示范區瞪羚企業”、“PSIC2019中國電動汽車用IGBT最具發展潛力企業稱號”和“中國電氣節能30年杰出貢獻企業”等榮譽稱號。“2-200A/200-1200V”超快速軟恢復外延二極管（FRED）芯片性能指標達到國際同類產品的先進水平。公司“超快軟恢復外延型二極管（FRED）系列產品”、“一種新型的NPTIGBT結構”于2015年榮獲中國半導體行業協會等授予的“中國半導體創新產品和技術獎”。2015年，公司“高壓大電流高性能IGBT芯片及模塊的產業化”項目獲得江蘇省人民政府“江蘇省科學技術獎三等獎”，“一種新型NPTIGBT芯片和模塊的開發及產業化”項目獲得中國電源學會科學技術獎一等獎。公司通過技術創新、產品外延等手段不斷延伸產品線，能夠滿足不同終端客戶對產品的技術參數和性能多樣性的需求，具有一定的市場占有率和較強的品牌影響力。2021年，公司榮獲“江蘇省小巨人企業”的獎勵。2022年，公司榮獲“國家級專精特新小巨人企業”的獎勵。公司憑借可靠的產品質量和優質的服務與眾多知名企業客戶保持了良好的商業合作關系，同時依托龍頭客戶產生的市場效應不斷向行業內其他企業拓展。二、核心技術與研發進展1.核心技術及其先進性以及報告期內的變化情況公司建立了健全的研發體系和研發管理制度，加強對研發組織管理和研發過程管理，不斷強化芯片設計、模塊封裝測試等工藝技術積累，在核心技術方面不斷突破，打造了自身在功率半導體芯片設計領域和模塊封裝領域的核心能力，并形成了公司的主要核心技術，上述技術來源均為公司自主研發，并獨立享有相關知識產權成果。2.報告期內獲得的研發成果報告期內，公司根據研發項目計劃以及市場需求情況展開技術及產品研發工作，根據項目要求配置先進設備，按項目特點和需求合理配置研發團隊，加強對外合作，充分利用公司研發資源，提升公司的自主創新能力和研發水平，鞏固和保持公司產品和技術的領先地位，取得了一定成效。報告期內，公司主要取得的研發成果如下:（1）光伏用400A/650V三電平定制模塊開發順利，已開始批量交付，目前產能穩定，終端表現良好；（2）車用800A/750V雙面散熱模塊開發順利，通過相關車用可靠性測試及系統測試，已開始小批量交付使用；（3）車用750V12寸芯片的順利開發以及其對應的車用模塊快速上量；（4）12寸1700V高性能續流管及1700V IGBT芯片已完成開發和驗證。3.研發投入情況表研發投入總額較上年發生重大變化的原因研發投入合計較上年同期增加117.24%，主要系公司持續重視研發工作，項目有序推進，并且較上年同期新增了1個在研項目,新增項目為：光伏用FRED芯片及分立器件的研發及產業化。4.在研項目情況5.研發人員情況6.其他說明
二、經營情況的討論與分析報告期內，公司專注于功率半導體器件的研發和技術創新，已經建立完善的研發體系和研發團隊，目前公司已具備先進的IGBT、FRED芯片設計、工藝集成、模塊的封裝設計及工藝實現、器件的產品特性分析及可靠性研究等能力，自主研發已成為公司核心競爭力之一。產品方面公司已在IGBT、FRED等功率半導體芯片、單管和模塊的設計、封裝和測試等方面積累核心技術，隨著公司技術與產品在工控領域的不斷滲入及新能源領域的不斷拓展，有望帶動公司業績持續增長。受益于雙碳戰略對于新能源汽車、光伏等下游產業成長所帶來的巨大推動及半導體器件國產化的驅動，公司業務將進一步快速增長。公司將全面優化管理流程，大力提高運營效率，降低成本提升效益，實現高質量高速發展。（一）經營情況在部分原材料供應緊張、價格上漲的情況下，公司通過技術創新、工藝改進和精細化管理，提高了生產效率和產品的良品率。通過加強上下游協同，深化產業鏈戰略合作，核心競爭力持續提升。報告期內，公司實現營業收入76,441.78萬元，歸屬于上市公司股東凈利潤6,251.85萬元，同比分別增長129.70%和93.90%。（二）募投項目情況報告期內，公司抓住市場需求旺盛和國產化替代的機遇，積極推進募投項目建設。加快引進先進的生產工藝設備，擴大產能，緩解了產能缺口。截至報告期末，“新型電力半導體器件產業基地項目”及“研發中心建設項目”共計已投入31,938.14萬元。（三）研發工作情況報告期內，公司為加快產品開發速度、提高產品開發成功率、加強產品開發階段質量管控，在產品研發階段導入了項目管理。并在公司內部多場合、多頻次宣貫“目標管理、進度管理、預算管理”的意識，強調“通過團隊協作，加速新品和新技術開發、產品迭代”的理念，通過“產品需求管理、產品概念策劃、項目目標和計劃評審、項目立項評審、項目階段評審、項目驗收考核”等一系列措施的環環相扣，使得研發項目按時完成率和目標達成率較往年有較大的提升。聚焦公司主營業務方向、服務于中長期業務發展需求，公司在重點應用領域（如電動汽車、光伏）、重點客戶、新市場積極布局新產品開發，通過市場調研、應用分析、聯合下游客戶合作，持續篩選出經濟效益較好、市場競爭力較強、技術含量高，創新性高，填補市場空白的產品開發需求。公司以汽車產品質量管理IATF16949體系中五大工具（APQP、FMEA、PPAP、MSA、SPC）為切入點，梳理了APQP五個階段的輸入與輸出文件，使得項目開發過程中緊密圍繞產品質量管理的主線，重點強化了DFMEA、PFMEA、CP、SOP的信息對齊與貫通，提高了產品開發階段全過程質量意識及重要性。基于項目管理的產品開發模式，公司通過明確項目目標、進度管理、預算管理，明確了項目開發各個階段的工作內容及輸出物，設立了項目里程碑，在各個關鍵階段組織評審，評審階段目標及工作完成情況、問題點關閉情況是否達到預期要求，能否滿足進入下個階段工作的條件。實施項目管理以來，設計開發階段的變更得到了有效的控制、產品質量先期策劃（APQP）的深入度得到了加強、開發階段的風險項和問題點識別愈發細致。項目團隊人員專業化程度、職業化素養、人員的積極性得到較大的提升，“目標結果為導向、成本和經營意識、項目時間的緊迫性”逐步地深入到各個部門中，團隊協作的意識得到加強。報告期內，公司根據年度研發計劃以及市場需求情況展開技術及產品研發工作，根據項目要求配置先進設備，按項目特點和需求合理配置研發團隊，加強對外合作，充分利用公司研發資源，提升公司的自主創新能力和研發水平，鞏固和保持公司產品和技術的領先地位，取得了一定成效。報告期內，公司主要取得的研發成果如下：1、光伏用400A/650V三電平定制模塊開發順利，已開始批量交付，目前產能穩定，終端表現良好；2、車用800A/750V雙面散熱模塊開發順利，通過相關車用可靠性測試及系統測試，已開始小批量交付使用；3、車用750V12寸芯片的順利開發以及其對應的車用模塊快速上量；4、12寸1700V高性能續流管及1700V IGBT芯片已完成開發和驗證。
三、風險因素（一）核心競爭力風險1、技術升級及產品迭代風險功率半導體器件行業技術不斷升級，持續的研發投入和新產品開發是保持競爭優勢的關鍵。公司現有的技術存在被新的技術替代的可能。如國內外競爭對手推出更先進、更具競爭力的技術和產品，而公司未能準確把握行業技術發展趨勢并制定新技術的研究方向，或公司技術和產品升級迭代的進度跟不上行業先進水平，新產品研發失敗，將導致產品技術落后、公司產品和技術被迭代的風險。（二）經營風險1、重要供應商依賴的風險產品中的核心原材料中自研芯片采用Fabless模式委托芯片代工企業生產，外購芯片主要采購英飛凌等芯片供應商。如果公司主要芯片代工供應商產能嚴重緊張或者難以通過供應商采購芯片，則可能導致公司產品無法及時、足量供應，進而對公司的經營業績產生不利影響。2、固定資產折舊及減值的風險隨著公司改擴建項目的投產使用，將新增較大量的固定資產，使得年新增折舊及攤銷費用較大。若公司未來因面臨低迷的行業環境而使得經營無法達到預期水平，則固定資產投入使用后帶來的新增效益可能無法彌補計提折舊的金額。固定資產存在由于損壞、技術升級和運營效率降低等原因存在資產減值的風險。未來，若下游市場重大變化、制造的工藝發生重大變革，或出現其他更為領先的工藝，亦會導致公司固定資產出現減值的風險。（三）行業風險1、市場競爭風險國際市場上，經過60余年的發展，以英飛凌、安森美、意法半導體為代表的國際領先企業占據了全球半導體分立器件的主要市場份額。同時，國際領先企業掌握著多規格中高端芯片制造技術和先進的封裝技術，其研發投入強度也高于國內企業，在全球競爭中保持優勢地位，幾乎壟斷工業控制、新能源、電動汽車等利潤率較高的應用領域。國內市場較為分散，市場化程度較高，各公司處于充分競爭狀態。我國目前已成為全球最大的半導體分立器件市場，并保持著較快的發展速度，這可能會吸引更多的競爭對手加入從而導致市場競爭加劇，公司如果研發效果不達預期，不能滿足新興市場及領域的要求，公司市場份額存在下降的風險。（四）宏觀環境風險公司產品主要應用于工業控制、新能源、電動汽車等行業，如果宏觀經濟波動較大或長期處于低谷，上述行業的整體盈利能力會受到不同程度的影響，半導體行業也將隨之受到影響，從而對公司的銷售和利潤帶來負面影響。
四、報告期內核心競爭力分析(一)核心競爭力分析1、技術優勢IGBT作為一種功率半導體器件，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是工業控制及自動化領域的核心元器件，屬于國家戰略高新技術及核心關鍵技術。公司專注于功率半導體器件的研發和技術創新，始終堅持“關注需求、賦予價值、成就品牌”的研發理念，以技術自主創新為根基，以研發持續投入為保障，建立了完善的研發體系和強大的研發團隊。公司已具備并掌握先進的IGBT、FRED芯片設計能力、工藝設計能力、模塊的封裝設計與制造能力、特性分析與可靠性研究能力、器件的應用研究與失效分析能力。公司自主研發設計的芯片是公司模塊產品具有高性價比的主要競爭力之一。經過多年的技術沉淀和積累，公司已在IGBT、FRED等功率半導體芯片、單管和模塊的設計、封裝和測試等方面積累了眾多優秀核心技術。其中芯片領域的核心技術主要包括微細溝槽柵、多層場阻斷層、虛擬原胞、逆導集成結構等IGBT芯片設計及制造技術；軟恢復結構、非均勻少子壽命控制技術等FRED芯片設計及制造技術；高可靠終端設計等高壓MOSFET芯片設計及制造技術等。2、產品優勢公司致力于功率半導體芯片、單管及模塊研發、生產和銷售，公司產品集中應用于工業控制（變頻器、伺服電機、UPS、開關電源等），部分產品應用于新能源發電（光伏逆變器等）、電動汽車（電控系統等）等多元化領域。目前，公司產品已涵蓋IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產品80余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產品270余種，公司產品性能與工藝技術水平處于行業先進水平。3、客戶優勢公司憑借先進的產品技術、可靠的產品質量和優質的服務與行業龍頭企業及眾多知名客戶保持了良好的商業合作關系，同時依托龍頭企業產生的市場效應不斷向行業內其他企業拓展。
關鍵詞：
